高加速应力测试

高加速应力测试(HAST)的方法是由 Jeffrey E. Gunn, Sushil K. Malik 和 Purabi M. Mazumdar 首先提出,其应力测试的失效机制由CuAl和AuAl的IMC界面腐蚀和微裂纹以及诱发的电球键开路引起。[1]

由于85 °C/85% RH的正常测试时间为1000小时,若需要更短的测试时间,则通过HAST在 130 °C/85% RH 下进行96小时的偏压测试。然而,在130 °C/85% RH下进行测试有时会超过模塑化合物的玻璃化转变温度,因此,130 °C/85% RH结果可能并不总是与85 °C/85% RH结果有很好的相关性。HAST测试有时在较低的110 °C下进行,但时间稍长,为264小时。如果在HAST测试期间观察到失效,则会将测试温度降至85°C/85% RH。[1]

湿度加速因子由下式计算

其中 RHs 是加速状态相对湿度,RHo 是工作环境相对湿度,n 是一个经验得出的常数(一般1< n <5).

温度加速因子由下式计算

其中Ea 是活化能(电子产品通常是 0.7eV), k玻尔兹曼常数, To 是以开尔文为单位的工作温度,Ts 是加速状态温度。

无偏压高加速应力测试的总加速因子是

参考文献

  1. Gunn, Jeffrey E., Sushil K. Malik, and Purabi M. Mazumdar. "Highly accelerated temperature and humidity stress test technique (HAST)." Reliability Physics Symposium, 1981. 19th Annual. IEEE, 1981.

相關條目

  1. ^ 1.0 1.1 Gan, Chong Leong,; Huang, Chen-Yu,. Advanced Memory and Device Packaging. Springer Series in Reliability Engineering. Cham: Springer International Publishing. 2023: 1–19. ISBN 978-3-031-26707-9.