File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png
Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png (768 × 576 像素,檔案大小:650 KB,MIME 類型:image/png)
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日期/時間 | 縮圖 | 尺寸 | 使用者 | 備註 | |
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目前 | 2005年9月13日 (二) 00:15 | 768 × 576(650 KB) | Twisp | * Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho |
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