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File:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png

Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png （768 × 576像素，文件大小：650 KB，MIME类型：image/png）

摘要

描述

Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111

  • Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005
日期 2005年9月13日 (原始上传日期)
来源 无法识别来源。根据版权声明推断为其自己的作品。
作者 无法识别作者。根据版权声明推断作者为Twisp。

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当前2005年9月13日 (二) 00:152005年9月13日 (二) 00:15版本的缩略图768 × 576（650 KB）Twisp* Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho

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