联华电子
联华电子股份有限公司,简称联电,是台湾一家从事晶圆代工的公司,为跨越电子行业的各项主要应用产品生产芯片。联电完整的制程技术及制造解决方案包括逻辑/混合信号、嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性记忆体、RFSOI及BCD。
联华电子股份有限公司 | |
---|---|
United Microelectronics Corp. | |
公司类型 | 股份有限公司 |
股票代号 | 台证所:2303 (1985年7月16日上市) NYSE:UMC |
ISIN | US9108734057 |
统一编号 | 47217677 |
成立 | 1980年5月22日 (44年173天) |
创办人 | 曹兴诚、宣明智 |
代表人物 | 董事长:洪嘉聪 总经理:简山杰、王石 |
总部 | 台湾 新竹市东区力行二路3号 (新竹科学园区) |
产业 | 半导体 |
产品 | 集成电路 晶圆专工 各种半导体相关零组件 |
员工人数 | 约20,000人 |
主要子公司 | 硅统科技等 |
网站 | www |
联电大部分的十二英寸和八英寸晶圆厂及研发中心位于台湾,另有数座晶圆厂位在亚洲其他地区。联电现共有十二座晶圆厂,月产能总计约85万片,主要为八英寸成熟制程晶圆,且全部芯片产品皆符合汽车业的IATF 16949认证。联电总部位于台湾新竹科学园区,另在中国大陆、美国、欧洲、日本、韩国及新加坡设有服务据点,目前全球约有20,000名员工。
成立
1970年代,台湾工业技术研究院决定发展集成电路产业,邀请美国无线电公司(RCA)研究室主任潘文渊筹备计划。1974年7月,潘文渊完成“集成电路计划草案”,经济部长孙运璿于8月17日核定该计划。在潘文渊的主导下,从RCA公司引入“互补式金属氧化物半导体”(CMOS)技术,并在工研院成立电子工业研究发展中心,全力发展集成电路技术[1]。
1977年10月,工研院建立了台湾第一座集成电路示范工厂,开始生产7.5微米制程晶圆。成立仅六个月的时间,产品良率就已高达七成,远高于技转母厂RCA的五成,使台湾一举跃升全球第三大电子表输出国[1]。为了使技术产业化,工研院于于1980年5月22日与交通银行、中华开发、光华投资公司与东元、声宝、华泰、华新丽华等公司出资五亿台币成立集成电路工厂,首任董事长一职则由工研院第2任院长方贤齐担任[2][3]。由于主要股东中华开发、光华投资、华新丽华、华泰电子的名字都有一个“华”字,故新公司命名为“联华电子”,为台湾第一间半导体制造公司[1][4]。联电成立后,工研院将4英寸晶圆技术及研发团队移转给联电,其中即包含后来担任联电董事长的曹兴诚[1]。而联电也在成立不久后,即跃升东南亚最大的集成电路制造商[4]。1985年7月,联电正式于台湾证券交易所公开上市,为台湾第一家上市的半导体公司[5]。
发展
创建初期
联电创建之初,以承接工厂的垂直整合制造(IDM)为主[6],同时进行晶圆代工、 IC 设计、储存等三大业务[5]。1981年,工研院电子所副所长曹兴诚担任联电总经理,意识到台湾电子市场受限,开始思考晶圆代工的可能性,因此于1984年前往美国,与当时担任台湾科技顾问的张忠谋提出晶圆代工的想法,但当时张忠谋并未赞同此一作法[7]。1985年,张忠谋回台担任工研院院长,并兼任联电董事长[7]。然而,张忠谋于1987年成立的“台湾集成电路公司”(台积电)却率先实践了晶圆代工的商业模式[8],这让曹兴诚认为自己的想法遭到剽窃,也种下两人之间的心结[9]。1991年,曹兴诚以“竞业回避”为由,联合其他董事要求张忠谋辞去董事长一职,从此揭开台湾晶圆双雄争霸的序幕[9]。
转型专业晶圆代工
1995年,尽管当时晶圆代工的业务仅占联电营收的三分之一,曹兴诚仍决定放弃经营自有品牌,将联电从事专业晶圆代工[5]。为了筹措建厂资金,联电与美国、加拿大等地的11家IC设计公司合资成立联诚、 联瑞、联嘉3家8英寸晶圆代工公司[10]。但相较台积电独立建厂经营晶圆代工,联电与其他IC厂合资设厂的做法,造成客户因此担心设计图外流,因此客户群多以中小型IC设计厂为主[5]。于是联电将旗下的IC设计部门分出去成立联发科技、联咏科技、联阳半导体、智原科技、联笙电子、联杰国际[11][12],而这些厂商后来也都成为台湾重要的IC设计厂,其中联发科和联咏更跻身全球前10大IC制造商[13]。同时曹兴诚为了缩小与台积电的差距,于1999年进行“联电五合一”的方案,合并集团旗下联诚、联嘉、联瑞及和泰4家晶圆代工公司[10][14]。合并后的联电产能达到了台积电的85%,全球市占更从原先的10%提升至35%,接近台积电45%的市占率,大幅缩小了与台积电的差距[13]。然而自2000年后,联电与台积电的差距再次拉开[13]。
发展简历
- 1998年:为了扩厂需求,取得合泰半导体晶圆厂。此外,为了扩展海外市场,取得新日铁半导体(UMC Japan)部分股权。
- 1999年:在台南科学园区兴建12英寸晶圆厂
- 2000年:联电集团进行跨世纪五合一(联电/联诚/联瑞/联嘉/合泰五合一)[15],并于纽约证券交易所挂牌上市,产出半导体业界首批铜制程芯片及第一颗0.13微米制程IC。
- 2004年:联电旗下新加坡12英寸晶圆厂迈入量产阶段,并完成硅统半导体购并案。
- 2008年:获道琼斯永续性指数列为成份股之一。
- 2009年:正式完全收购新日铁半导体股权,并纳入子公司UMCJ。
- 2010年:联电成立三十周年。
- 2013年:取得中国大陆苏州和舰科技晶圆厂[16]。
- 2014年:入股富士通的新晶圆代工公司。
- 2015年:于中国大陆厦门转投资设立的联芯集成电路制造厂正式动工[17]。
- 2017年:联电宣布不再追逐14纳米以下先进制程[18]。
- 2018年:联电宣布将以不超过576.3亿元日圆(约新台币160亿元)的金额,完全收购已持有15.9%股权的日本三重富士通半导体(Mie Fujitsu Semiconductor,MIFS),2019年10月1日完成股权转让。
- 2020年:联电成立四十周年。联电与美国司法部达成认罪协议,以解决2018年涉及与晋华集成电路盗窃美光科技专利的商业机密案件。[19][20]
- 2021年:连续14年入选道琼斯永续性指数(Dow Jones Sustainability Indices, DJSI)之“世界指数 (DJSI-World)”成分股,也同时入选新兴市场成分股(DJSI-Emerging Markets)。
- 2021年加入由气候组织和碳揭露专案提出的“RE100”倡议,订定2025年25%、2030年50%、2050年100%之三阶段使用再生能源目标,以及在2050年达成净零碳排,为全球第二家加入RE100的半导体企业。[21][22]
- 2021年:美光与联电针对专利诉讼宣布全球和解,双方各自撤回向对方提出之诉讼。[23]
晶圆厂[24]
晶圆厂 | 纳米 | 地点 | 晶圆直径 | 每月晶圆产量 |
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联颖光电 | 450-350纳米 | 台湾 新竹 | 150毫米 | 31,000 |
Fab 8AB | 500-250纳米 | 台湾 新竹 | 200毫米 | 87,000 |
Fab 8C | 350-110纳米 | 台湾 新竹 | 200毫米 | 37,000 |
Fab 8D | 130-90纳米 | 台湾 新竹 | 200毫米 | 31,000 |
Fab 8E | 500-180纳米 | 台湾 新竹 | 200毫米 | 37,000 |
Fab 8F | 180-150纳米 | 台湾 新竹 | 200毫米 | 40,000 |
Fab 8S | 180-110纳米 | 台湾 新竹 | 200毫米 | 31,000 |
Fab 8N(和舰) | 500-110纳米 | 中国大陆 苏州 | 200毫米 | 76,000 |
Fab 12A | 130-14纳米 | 台湾 台南 | 300毫米 | 87,000 |
Fab 12i | 130-40纳米 | 新加坡 | 300毫米 | 53,000 |
Fab 12X (联芯) | 40-28纳米 | 中国大陆 厦门 | 300毫米 | 19,000 → 25,000 (2021) |
Fab 12M (USJC) | 90-40纳米 | 日本 三重 | 300毫米 | 33,000 |
转投资与子公司
缘由
联华电子一方面为了掌握客户稳定的需求,一方面又企图主导当时半导体市场的走向,而在此过程中兼顾保持利润,会把联电内部的单位独立出来成立子公司,因此发展出所谓的“联电模式”,也会与客户发展伙伴关系成立不少合资公司,而这些合资公司及子公司,又会因应市场当时状况及伙伴间关系的变动而有所调整[25]。
主要转投资
相关条目
参考资料
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- ^ 联电吃补 和舰砸6.13亿元人民币入股联芯 (页面存档备份,存于互联网档案馆)记者:高振诚 2015年1月28日 ETtoday新闻云
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- ^ <黃日燦看併購> 合縱連橫 打開聯電輝煌併購史, 經濟日報 2013年4月25日. [2016年9月18日]. (原始内容存档于2016年9月18日).