外延 (晶体)

磊晶（英语：Epitaxy），是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有晶片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长（Epitaxial Growth），或指以外延技术成长出的结晶，有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。

“外延 (晶体)”的各地常用名称
中国大陆	外延
台湾	磊晶

外延技术可用以制造矽电晶体到CMOS积体电路等各种元件，尤其在制作化合物半导体例如砷化镓磊晶晶圆时，外延尤其重要。

外延成长技术的种类

• 化学气相沉积
• 分子束外延技术：在高度真空下在表面沉积新的半导体结晶层的磊晶技术，相关可见真空蒸镀技术。
• 液相外延或称液态外延（英语：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技术
• 固相外延（英语：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技术

参考来源

文献

• Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1. 

引用

外部链接

• epitaxy.net（页面存档备份，存于互联网档案馆）: a central forum for the epitaxy-communities
• Deposition processes（页面存档备份，存于互联网档案馆）