單粒子翻轉

單粒子翻轉英文縮寫SEU（Single-Event Upsets），航天電子學術語，原因是在空間環境下存在着大量高能帶電粒子，計算機中的CMOS電子元器件受到地球磁場、宇宙射線等照射，引起電位狀態的跳變，「0」變成「1」，或者「1」變成「0」，但一般不會造成器件的物理性損傷。

單粒子翻轉指標用單粒子翻轉率來描述，單粒子翻轉率是器件每天每位發生單粒子翻轉的概率，計算質子單粒子翻轉率的一般性公式：

$R_{p}=\int _{E_{0}}^{\infty }\sigma _{p}(E)\varphi (E)\,dE(SEU/bit\cdot d)$ 其中：$E_{0}$為閾值能量，單位MeV；$\sigma _{p}(E)$為質子單粒子翻轉截面積，單位$cm^{2}/bit$；$\varphi (E)$為質子微分流量。