快速周期DRAM
FCRAM（快速循環隨機存儲器）是一種由富士通和東芝共同開發的內存技術。它是一種同步動態隨機存取存儲器（SDRAM），旨在提供比傳統SDRAM更快的數據訪問速度。[1]
技術細節
與傳統的SDRAM相比，FCRAM的數據訪問延遲更短，這是通過將每個存儲行分成多個子行來實現的。在行激活操作期間，只有一個子行被激活，這樣可以減少有效陣列的大小，從而提高訪問速度。這種設計使得FCRAM在圖形處理和高速網絡等需要快速數據訪問的應用中非常有用。[2]
兼容性
FCRAM具有與DDR SDRAM類似的命令集，這意味着它可以與支持DDR SDRAM的內存控制器兼容。這種兼容性使得FCRAM可以更容易地集成到現有系統中，而不需要進行大量的硬件修改。
此外，FCRAM的核心架構可以被應用於兩大種類的特定應用存儲器產品：移動類FCRAM和消費類FCRAM。移動類FCRAM支持PSRAM接口或者支持LP SDR或DDR SDRAM接口的產品類型，而消費類FCRAM則適用於與其他的邏輯晶片一起進行系統級封裝。
實際應用
FCRAM主要用於對數據訪問速度有高要求的領域，例如網絡設備、高端伺服器和某些類型的嵌入式系統。它不像其他類型的DRAM那樣注重成本和容量，而是專注於提供更快的數據訪問。
外部連結
參考文獻
- ^ EETimes. FCRAM 101 Part 1: Understanding the Basics. EE Times. 2002-03-19 [2024-05-12]. （原始內容存檔於2024-05-12）.
- ^ Alakarhu, Juha; Niittylahti, Jarkko. DRAM performance as a function of its structure and memory stream locality. Microprocessors and Microsystems. 2004-03-01, 28 (2) [2024-05-12]. ISSN 0141-9331. doi:10.1016/S0141-9331(03)00114-5. （原始內容存檔於2013-03-25）.