硒化鉛
化合物
硒化鉛是鉛的硒化物，化學式為PbSe，它是一種半導體材料，是具有NaCl結構的立方晶體。它的直接帶隙在室溫下為0.27 eV[注1]。[2]
| 硒化鉛 | |
|---|---|
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| 英文名 | Lead selenide |
| 識別 | |
| CAS號 | 12069-00-0 
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| PubChem | 61550 |
| SMILES |
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| 性質 | |
| 化學式 | PbSe |
| 摩爾質量 | 286.16 g/mol g·mol⁻¹ |
| 密度 | 8.1 g/cm3 |
| 熔點 | 1078 °C（1351 K） |
| 溶解性（水） | 難溶 |
| 結構 | |
| 晶體結構 | Halite (cubic), cF8 |
| 空間群 | Fm3m, No. 225 |
| 晶格常數 | a = 6.12 Angstroms [1] |
| 配位幾何 | Octahedral (Pb2+) Octahedral (Se2−) |
| 危險性 | |
| 警示術語 | R：R61, R20/22, R23/25, R33, R62, R50/53 |
| 安全術語 | S：S1/2, S20/21, S28, S53, S45, S60, S61 |
| 歐盟分類 | Repr. Cat. 1/3 Toxic (T) Harmful (Xn) Dangerous for the environment (N) |
| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 一氧化鉛 硫化鉛 碲化鉛 |
| 其他陽離子 | 一硒化碳 一硒化矽 一硒化鍺 硒化亞錫 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
製備
註釋
注1. 需要注意一些文獻會錯誤地將PbSe和其它IV–VI當作間接帶隙半導體材料。[4]
參考文獻
- ^ Lead selenide (PbSe) crystal structure, lattice parameters, thermal expansion. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter: 1–4. [2017-10-24]. doi:10.1007/10681727_903. （原始內容存檔於2016-09-16）.
- ^ Ekuma, C. E.; Singh, D. J.; Moreno, J.; Jarrell, M. Optical properties of PbTe and PbSe. Physical Review B. 2012, 85 (8). Bibcode:2012PhRvB..85h5205E. doi:10.1103/PhysRevB.85.085205.
- ^ 姚官生, 司俊傑, 陳鳳金. 化學沉澱法製備硒化鉛薄膜[J]. 低溫與超導, 2009, 37(9):73-76.
- ^ Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics 6th. New York: Wiley & Sons. 1986. ISBN 978-0-471-87474-4.