半導體記憶體

半導體記憶體semiconductor memory)是一種用於數字數據儲存英語Digital Data Storage數字電路半導體器件,例如電腦記憶體。數據會儲存在集成電路記憶晶片上的金氧半導體(MOS)儲存單元[1][2][3]。目前有許多不同的類型的半導體技術。兩種常見的隨機存取記憶體(RAM)中其中一個是靜態RAM(SRAM),它在每個儲存單元使用多個MOS電晶體,另一個是動態RAM(DRAM),每個單元使用一個MOS電晶體和一個MOS電容非揮發性記憶體(如EPROMEEPROM快閃記憶體)使用浮柵儲存單元,每個單元由一個浮柵MOS 電晶體組成。大多數類型的半導體記憶體都具有隨機訪問的特性。 [4]

參考文獻

  1. ^ The MOS Memory Market (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼學會. 1997 [16 October 2019]. (原始內容 (PDF)存檔於2011-06-26). 
  2. ^ MOS Memory Market Trends (PDF). Integrated Circuit Engineering Corporation. 史密森尼學會. 1998 [16 October 2019]. (原始內容 (PDF)存檔於2019-10-16). 
  3. ^ Veendrick, Harry J. M. Nanometer CMOS ICs: From Basics to ASICs. Springer. 2017: 314–5 [2022-03-29]. ISBN 9783319475974. (原始內容存檔於2022-03-29). 
  4. ^ Lin, Wen C. CRC Handbook of Digital System Design, Second Edition. CRC Press. 1990: 225 [4 January 2016]. ISBN 0849342724. (原始內容存檔於27 October 2016).