討論:閃存

由Hzt0208042508415531 tw在話題請求與快閃記憶體轉換層合併上作出的最新留言:2 年前
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NVRAM

閃存(Flash)在英文版中被歸類為非易失性隨機存取存儲器(NVRAM,中文似乎沒有此頁),而在中文版中被歸類為電子抹除式可複寫只讀存儲器(EEPROM),哪個正確? -Kovl留言2013年8月28日 (三) 03:14 (UTC)回覆

見仁見智,同樣是非揮發性記憶體(NVM),不過目前快閃記憶體(flash memory)的規模(如市場、種類、應用……等)應已足夠的多與大到可以自成一類, 歸類於EEPROM可能就是10年前的分類法。Ccwesley留言2013年8月28日 (三) 06:21 (UTC)回覆
閃存、EEPROM和EPROM均屬於浮柵電晶體存儲器,利用浮柵拘束電子來保存數據,不同點主要在於擦除方式。EPROM使用紫外線擦除,EEPROM改由電子方式擦除,而Flash則進一步改變了擦除的單位和範圍。所以這幾種分類應該都是正確的。--Aixiangsui留言2013年11月12日 (二) 13:39 (UTC)回覆

外部連結已修改

各位維基人:

我剛剛修改了閃存中的1個外部連結,請大家仔細檢查我的編輯。如果您有疑問,或者需要讓機械人忽略某個連結甚至整個頁面,請訪問這個簡單的FAQ獲取更多信息。我進行了以下修改:

有關機械人修正錯誤的詳情請參閱FAQ。

祝編安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2018年6月20日 (三) 22:02 (UTC)回覆

外部連結已修改

各位維基人:

我剛剛修改了閃存中的1個外部連結,請大家仔細檢查我的編輯。如果您有疑問,或者需要讓機械人忽略某個連結甚至整個頁面,請訪問這個簡單的FAQ獲取更多信息。我進行了以下修改:

有關機械人修正錯誤的詳情請參閱FAQ。

祝編安。—InternetArchiveBot (報告軟件缺陷) 2018年7月30日 (一) 03:29 (UTC)回覆

請求與快閃記憶體轉換層合併

2013-7-1DreaMQ的合併請求 死灰留言2022年5月27日 (五) 04:38 (UTC)回覆

沒有必要。該條目篇幅足夠大。 Hzt0208042508415531 tw留言2022年6月21日 (二) 04:25 (UTC)回覆

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