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极紫外光刻

极紫外光刻（英语：extreme ultraviolet lithography，中国大陆称为极紫外光刻，台湾称为极紫外光微影，简称“EUV”或“EUVL”）又称作超紫外线平版印刷术, 是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前用于7纳米以下的先进制程，于2020年得到广泛应用[1][2][3][4] 。

极紫外光光刻的成像机制

DUV光刻制程

晶圆制造过程里有一道程序是将设计好的电路图案(Pattern)缩小转印到晶圆上，此道制程便称之为光刻, 7纳米以前的制程使用248或193纳米波长的光做为光源来进行光刻。早期市面上DUV光刻制程机台的供应商以Canon以及Nikon为主, 浸润式光刻（英语：Immersion lithography）出现后DUV光刻制程机台改由艾司摩尔所独霸。

EUV光刻制程

光刻制程中若想要优化电路图案(Pattern)的分辨率有两种做法，一是增加数值孔径, 二是降低光源波长。EUV光刻制程选择第二中作法,将光源波长降低13.5纳米来提升电路图案分辨率，由于EUV波长太短,非常容易被大气吸收,因此此道制程需要在真空环境中完成。目前EUV光刻制程机台由艾司摩尔所开发出的Twinscan光刻机所独霸一方。[5][6]

光罩

EUV光罩与传统光罩也截然不同，具复合多涂层反射镜（分散式布拉格反射器）的光罩可将电路图案反射到晶圆上。这种多层膜光罩虽然可维持光罩的反射率，但另一方面会影响临界线宽、轮廓、刻线边缘粗糙度。

参考资料

  1. ^ Intel 7nm by 2019. [2018-04-02]. （原始内容存档于2018-10-06）. 
  2. ^ Globalfoundries EUV by 2020. [2018-04-02]. （原始内容存档于2019-08-10）. 
  3. ^ Samsung 7nm by 2020. [2018-04-02]. （原始内容存档于2017-01-03）. 
  4. ^ TSMC 5nm by 2020. [2018-04-02]. （原始内容存档于2021-01-17）. 
  5. ^ 存档副本. [2017-12-08]. （原始内容存档于2017-01-03）. 
  6. ^ [1] （页面存档备份，存于互联网档案馆）[来源可靠？]
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