三氟化鎵

化合物

三氟化鎵GaF3)是一種無機化合物。這種白色固體的熔點超過1000°C,但是在950°C左右就會升華。它具有FeF3型結構,鎵原子為6配位。[1]三氟化鎵可由F2HFGa2O3反應製得,而(NH4)3GaF6的熱分解也可以製得它。[2]三氟化鎵幾乎不溶於水。[2]蒸發GaF3和HF的混合溶液可以獲得三水合物GaF3·3H2O,後者受熱時水解形成鹼式鹽GaF2(OH)。[2]三氟化鎵與無機酸反應生成劇毒的氫氟酸

三氟化鎵
別名 gallium trifluoride
識別
CAS號 7783-51-9  checkY
PubChem 82211
ChemSpider 74191
SMILES
 
  • F[Ga](F)F
InChI
 
  • 1/3FH.Ga/h3*1H;/q;;;+3/p-3
InChIKey WXXZSFJVAMRMPV-DFZHHIFOAM
性質
化學式 GaF3
莫耳質量 126.718 g·mol⁻¹
外觀 白色粉末
密度 4.47 g/cm3
熔點 800 °C
沸點 1000°C
溶解性 0.0002 g/100 mL
結構
晶體結構 三方晶系hR24
空間群 R-3c, No. 167
危險性
歐盟分類 未列出
NFPA 704
0
3
2
 
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。
軸向結構圖 沿c軸結構圖 Ga的配位構型 F的配位構型

參考資料

  1. ^ Greenwood, N. N.; Earnshaw, A. Chemistry of the Elements 2nd. Oxford:Butterworth-Heinemann. 1997. ISBN 0-7506-3365-4. 
  2. ^ 2.0 2.1 2.2 Anthony John Downs, (1993), Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium, Springer, ISBN 978-0-7514-0103-5

擴展閱讀

  • Barrière, A.S.; Couturier, G.; Gevers, G.; Guégan, H.; Seguelond, T.; Thabti, A.; Bertault, D. Preparation and characterization of gallium(III) fluoride thin films. Thin Solid Films. 1989, 173 (2): 243. doi:10.1016/0040-6090(89)90140-5.