橫向擴散金屬氧化物半導體
此條目沒有列出任何參考或來源。 (2014年3月27日) |
橫向擴散金屬氧化物半導體（英語：Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，縮寫：LDMOS）經常被用於微波/射頻電路，製造於高濃度摻雜矽基底的磊晶層上。
LDMOS常被用於製作基站的射頻功率放大器，原因是它可以滿足高輸出功率、柵源擊穿電壓大於60伏的要求。與其他元件（如GaAs場效電晶體）相比，LDMOS功放極大值的頻率相對較小。LDMOS技術的生產製造商包括台灣積體電路製造公司（TSMC）、格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）、世界先進積體電路（VIS）、英飛凌、RFMD、飛思卡爾（Freescale）等。