氧化鎵

化合物

氧化鎵最穩定的氧化物化學式為Ga2O3,是一種白色的晶體粉末,具有兩性。它是作為製造半導體器件的一部分。

氧化鎵
別名 氧化鎵(III)
三氧化二鎵
識別
CAS號 12024-21-4  checkY
PubChem 5139834
ChemSpider 4313617
SMILES
 
  • O=[Ga]O[Ga]=O
InChI
 
  • 1/2Ga.3O/rGa2O3/c3-1-5-2-4
InChIKey QZQVBEXLDFYHSR-OGCFUIRMAC
RTECS LW9650000
性質
化學式 Ga2O3
莫耳質量 187.444 g·mol⁻¹
外觀 白色晶體粉末
密度 6.44 g/cm3(α)
5.88 g/cm3(β)
熔點 1900 °C(2173 K)
溶解性 難溶
溶解性 可溶於和鹼金屬氫氧化物溶液
結構[1][2]
晶體結構 單斜晶系mS20
空間群 C2/m(No. 12)
晶格常數 a = 1.2232 nm, b = 0.3041 nm, c = 0.5801 nm
晶格常數 α = 90°, β = 103.73°, γ = 90°
熱力學[3]
ΔfHm298K −1089.1 kJ/mol
S298K 85.0 J/(mol·K)
熱容 92.1 J/(mol·K)
ΔfHfus 100 kJ/mol
危險性
歐盟分類 未列出
相關物質
其他陰離子 硫化鎵
硒化鎵
碲化鎵
其他陽離子 氧化硼
氧化鋁
氧化銦
氧化鉈
相關化學品 氧化亞鎵
氫氧化鎵
若非註明,所有數據均出自標準狀態(25 ℃,100 kPa)下。

製備

氧化鎵可以通過在空氣中加熱金屬或在200~250℃熱分解硝酸鎵得到。氧化鎵有五種形態——α, β, γ, δ和ε,其中β-Ga2O3是最穩定的形態。[4]

2 C + Ga2O3 → Ga2O + 2 CO
Ga2O3 + 3 C → 2 Ga + 3 CO
2 Ga2O + 2 O2 → 2 Ga2O3
4 Ga + 3 O2 → 2 Ga2O3
  • α-Ga2O3可以通過在65 kbar與1100℃加熱β-Ga2O3得到。其水合物可以通過在500℃分解沉澱並老化的氫氧化鎵得到。
  • γ-Ga2O3通過在400~500℃迅速加熱氫氧化鎵凝膠得到。多晶體可以通過直接的溶劑熱反應製備。[6]
  • δ-Ga2O3由Ga(NO3)3在250˚C熱分解得到。
  • ε-Ga2O3可以通過550℃短暫加熱δ-Ga2O3 30分鐘得到。[4]

化學性質

氧化鎵可以和鹼金屬氧化物在高溫反應,產生偏鎵酸鹽,如NaGaO2;和Mg、Zn、Co、Ni、Cu的氧化物加熱形成尖晶石型晶體,如MgGa2O4[7] 它溶於鹼金屬氫氧化物溶液,形成Ga(OH)
4
羥基配離子。

它和氯化氫氣體在氬氣氣氛中反應,生成無水三氯化鎵GaCl3[8]

Ga2O3 + 6 HCl → 2 GaCl3 + 3 H2O

和氟氣反應,產生無水氟化鎵;溶於50%氫氟酸,生成氟化鎵的三水合物:[9]

Ga2O3 + 6 HF → 2 GaF3·3H2O

它可以被氫氣還原為氧化亞鎵(一氧化鎵)Ga2O,[10]也可以被單質鎵還原:[11]

Ga2O3 + 2 H2 → Ga2O + 2 H2O
Ga2O3 + 4 Ga → 3 Ga2O

參考文獻

  1. ^ Dohy, D.; Gavarri, J. R. Oxyde β-Ga2O3: Champ de force, dilatation thermique, et rigidité anisotropes. Journal of Solid State Chemistry. 1983, 49 (1): 107–117. Bibcode:1983JSSCh..49..107D. doi:10.1016/0022-4596(83)90222-0 (法語). 
  2. ^ Geller, S. Crystal Structure of β-Ga2O3. The Journal of Chemical Physics. 1 September 1960, 33 (3): 676–684. Bibcode:1960JChPh..33..676G. doi:10.1063/1.1731237. 
  3. ^ Haynes, William M. CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data 92nd. Boca Raton, FL.: CRC Press英語CRC Press. 2011: 5.20, 6.157. ISBN 978-1-4398-5511-9. OCLC 730008390 (英語). 
  4. ^ 4.0 4.1 Bailar, J; Emeléus, H; Nyholm, R; Trotman-Dickenson, A. Comprehensive Inorganic Chemistry. 1973, 1, 1091
  5. ^ 郭彥, 吳強, 王喜章. 氧化鎵納米帶的合成和發光性質研究. 無機化學學報, 2005. 21(5)
  6. ^ Playford, H. Y; Hannon, A. C; Barney, E. R; Walton, R. I. Chem. Eur. J. 2013, 19, 2803
  7. ^ The Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium and Thallium, Anthony John Downs, 1993, ISBN 075140103X , ISBN 978-0751401035
  8. ^ Inorganic Reactions and Methods, the Formation of Bonds to Halogens (Part 2), J J Zuckerman, Ed: A P Hagen, eBook, 17 September 2009, Wiley-VCH Verlag GmbH, ISBN 9780470145395
  9. ^ 無機化學叢書 第二卷 鈹 鹼土金屬 鋁 鎵分族. 科學出版社. pp 556. 2.12 氧化物、氫氧化物
  10. ^ Determination of Gallium in a Cerium Surrogate and in Drops from a Copper Collector by ICP as Model Studies for the Removal of Gallium from Plutonium, HF Koch, LA Girard, DM Roundhill - ATOMIC SPECTROSCOPY, 1999, vol 20, 1, 30
  11. ^ ADVANCES IN INORGANIC CHEMISTRY AND RADIOCHEMISTRY, Volume 5, The chemistry of Gallium, N.N. Greenwood, ED H. J. Emeleus, A. G. Sharpe 1963, Elsevier, Academic Press