直接帶隙和間接帶隙

直接能隙（英語：Direct band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應同一個k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為直接躍遷型半導體（或稱直接帶隙半導體）。直接帶隙結構中，電子由價帶頂躍遷至導帶底時保持k不變，並吸收光子。

間接能隙（英語：Indirect band gaps）是指半導體材料的導帶底的極小值和價帶頂的極大值在k空間內對應不同k值的能帶結構，具有這種結構的半導體稱為間接躍遷型半導體（或稱間接帶隙半導體）。間接帶隙結構中，電子由價帶頂躍遷至導帶底時動量發生改變，因此電子躍遷時除吸收光子外還要吸收或發射聲子，這樣才能滿足動量守恆的要求。