磷化鎵
化合物
磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。
| 磷化鎵 | |
|---|---|
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| IUPAC名 gallanylidynephosphane | |
| 識別 | |
| CAS號 | 12063-98-8 
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| PubChem | 82901 |
| ChemSpider | 74803 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | HZXMRANICFIONG-ZZOGKRAHAQ |
| RTECS | LW9675000 |
| 性質 | |
| 化學式 | GaP |
| 莫耳質量 | 100.697 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 淡橙色固體 |
| 氣味 | 無味 |
| 密度 | 4.138 g/cm3 |
| 熔點 | 1477 °C（1750 K） |
| 溶解性（水） | 不溶於水 |
| 能隙 | 2.26 eV (300 K) eV |
| 電子遷移率 | 250 cm2/(V*s) (300 K) |
| 熱導率 | 1.1 W/(cm*K) (300 K) |
| 折光度n D |
3.02 (2.48 µm), 3.19 (840 nm), 3.45 (550 nm), 4.30 (262 nm) |
| 結構 | |
| 晶體結構 | 閃鋅礦 |
| 空間群 | T2d-F-43m |
| 晶格常數 | a = 545.05 pm |
| 配位幾何 | 四面體 |
| 危險性 | |
| NFPA 704 |
 1
3
1
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| 相關物質 | |
| 其他陰離子 | 氮化鎵 砷化鎵 銻化鎵 |
| 其他陽離子 | 磷化鋁 磷化銦 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
若要變成N型半導體，需要摻雜硫或是碲，若要製作P型半導體，需要摻雜鋅。
磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm (UV)時為4.30，波長550 nm (green)時為3.45，波長840 nm(IR)時為3.19[1]。
發光二極體
自1960年代起，磷化鎵就會用來做低價的紅色、綠色及橘色發光二極體，亮度低至中等都有。在大電流時其壽命較短，其壽命對溫度也相當敏感，一般會獨立使用，或是配合磷砷化鎵使用。
純的磷化鎵會發波長555 nm的綠光，摻雜氮的會發出波長565 nm的黃綠光，摻雜氧化鋅的會發紅光(700 nm)。
磷化鎵會被黃光及紅光穿透，因此磷化鎵為基板的磷砷化鎵會比以砷化鎵為基板的要好。
在溫度到900 °C時，磷化鎵會分解，並且磷會以氣體方式離開。在LED晶元成長時，溫度會到1500度，為避免前敘情形，需將磷密封在熔化的氧化硼中，並用10-100大氣壓力的不活性氣體加壓。此程序稱為液體密封切克勞斯基法（LEC），是矽晶元製程中柴可拉斯基法的變形。